中科院5纳米光刻技术突破ASML垄断？　研发者：外界误读

中国科学院（简称中科院）曾于7月发表一篇报道，介绍研究团队研发的新型5纳米超高精度激光光刻加工方法，引发争议，报道其后被删。对此，相关研究人员近日作出回应。

综合媒体12月2日报道，相关研究发表在国际知名期刊《纳米通讯》（Nano Letters）。中科院官网7月还报道称，研究团队针对激光微纳加工中所面临的实际问题出发，解决高效和高精度之间的固有矛盾，开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现广阔的应用前景。不过，这一报道随后在中科院官网被删除。

消息发出后，迅速引发外界关注，一些媒体称此技术可以“突破荷兰光刻机生产企业阿斯麦（ASML）的垄断”、“中国芯取得重大进展”，“中国不需要极紫外光刻技术（EUV）光刻机就能制作出5纳米制程的芯片”。

但对于外界解读，该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前近日表示，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。

他进一步称，极紫外光刻技术解决的主要是光源波长的问题，极紫外光刻技术是以波长为10纳米至14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。

集成电路线宽是指由特定工艺决定的所能光刻的最小尺寸，也就是通常所说的“28纳米”、“40纳米”。 这个尺寸主要由光源波长和数值孔径决定，掩模上电路版图的大小也能影响光刻的尺寸。目前主流的28纳米、40纳米、65纳米线宽制程采用的都是浸润式微影技术（波长为134纳米）。但到了5纳米这样的先进制程，由于波长限制，浸润式微影技术无法满足更精细的制程需要，这是极紫外光刻机诞生的背景。

而中科院研发的5纳米超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，这是集成电路光刻制造中不可缺少的一个部分，也是限制最小集成电路线宽的瓶颈之一。目前，中国国内制作的掩模版主要是中低端的，装备材料和技术大多来自进口。

刘前还表示，如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造，则有望提高中国掩模版的制造水平，对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的。

但是，即便这一技术实现商用化，要突破荷兰ASML在光刻机上的垄断，还有很多核心技术需要突破，例如镜头的数值孔径、光源的波长等。