500 亿人民币补助支援　长江存储 NAND Flash 只落后韩国技术2年

近年记忆体市场局势发生变化，韩国两大记忆体厂商三星和 SK 海力士面临中国厂商激烈竞争，感受到更高竞争压力，技术差距也不断缩小。韩媒报道，中国最大记忆体半导体企业长江存储，在官方补助支援下，其NAND Flash 快闪记忆体技术与韩国差距已缩短到两年。

韩国媒体 Business Korea 报道，市场人士透露，中国增加支援记忆体产业，经过多年发展，与世界领先企业 NAND Flash 快闪记忆体技术差距缩短到两年。不过 DRAM 仍保持距离，技术差距约五年。缩短差距主因是 NAND Flash 快闪记忆体门槛相对低，追赶速度不断加速，差距缩小幅度会更明显。

中国最大记忆体半导体企业长江存储 2022 年快闪记忆体高峰会（FMS），发表基于晶栈 3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代 3D TLC 快闪记忆体，名为 X3-9070。长江存储也领先三星和 SK 海力士，更快量产高层数 NAND Flash 快闪记忆体。

2022 整年中国政府与国有投资基金投资就达约 500 亿人民币，持续且大量资金投入支援以取得发展，一方面是技术追赶，另一方面是更快渗透市场。半导体电路小型化逼近极限，中国可能抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术。中国是全球第二大封装技术市场，有完善生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入全球十大半导体封装企业，韩国则没有一家公司进入榜单。