加码中国DRAM芯片领域　科企长鑫存储增持技术专利

9月20日，中国科技企业长鑫存储宣布正式投产中国首款自主研发的动态随机存取存储芯片（DRAM）芯片，近日，该公司披露进展。

12月5日，据长鑫存储官方微信公众号消息，首批芯片将于2019年年底交付客户。该公司将通过加拿大知识产权公司WiLAN获得大量DRAM技术专利的实施许可。由于涉及商业秘密条款，双方并没有披露交易金额。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示：“这标志着在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。”

WiLAN总裁兼首席执行官Michael Vladescu也称：“这两份协议表明，长鑫存储高度重视知识产权，致力于持续投入研发。我们相信，由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势，助力长鑫存储持续开发DRAM关键技术。”

DRAM是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年，中国芯片进口额超过3,000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。据市场研究机构TrendForce数据，2019年一季度，三星、SK海力士、美光的DRAM市场份额分别为42.7%、29.9%、23%，共计95.6%。

更关键的是，这三家企业同时掌控着诸多DRAM技术专利。中国存储芯片三大厂商之一的福建晋华就受曾受制于和美光的专利纠纷。

2018年10月29日，美国商务部以“福建晋华即将完成DRAM的量产，该技术可能源自美国”为由，将该公司加入实体清单并对其提起诉讼。

对此，晋华回应称，晋华公司始终重视知识产权保护工作，不存在窃取其他公司技术的行为。

业内人士指出，此次长鑫存储拿到更多的技术授权和专利有防御作用。当竞争对手发起专利战，一些基础的专利可以用来“打仗”。

目前，中国芯片厂商已开始在DRAM不断加大投入并已有所进展。2016年，合肥长鑫存储项目启动。

此外，2019年，紫光集团亦开始发力DRAM领域。紫光拟在重庆建设DRAM存储芯片制造工厂，主要制造12英寸的DRAM存储芯片，计划2019年底开工建设，2021年建成投产。