华为芯片携手中芯国际 目标挺进3奈米制程
撰文: 许祺安
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中国电信设备大厂华为2019年入列美国贸易黑名单,但在北京政府的支援下,华为仍不断突围,根据外媒报道,华为从去年下半年的7奈米一路往3奈米技术前进。
美国科技网站“Tom's Hardware”报道,华为在先进制程上步步推进,去年10月推出让市场震撼、搭载中芯7奈米芯片的Mate 60高阶手机后,今年3月传出已往5奈米前进。
报道指出,与华为合作的国家支持芯片制造设备开发商新凯来(SiCarrier),也获得了多重图案化技术的专利,这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制程。华为和中芯国际可以使用深紫外光微影(DUV)曝光机和多重图案化生产3奈米芯片。
报道提及,SAQP对于华为和中芯来说至关重要,因为在美国出口管制下,无法使用ASML的设备制造。英特尔先前为了避免依赖曝光机,在2019年至2021年的10奈米制程上,也做过同样的方式,但最后宣告失败,主要在于良率问题。
对于中芯国际来说,多重图案化对于半导体技术的进步是必要的,从而能够生产更复杂的芯片,包括用于消费设备的下一代海思麒麟处理器和用于人工智能伺服器的升腾处理器。
以成本来说,多重图案化生产5奈米或3奈米芯片单个成本一定更高,商用设备可行性降低,但这项技术除了帮助中国半导体进步,也对超级电脑等应用及潜在军武发展相当重要。