日媒﹕内地芯片生产能力　已追至落后台积电3年

内地芯片实力与台湾之间差距收差。据《日本经济新闻》报道，日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治指出，内地芯片实力仅落后台积电水平3年。

报道对比今年4月上市华为智能手机Pura 70 Pro应用处理器“麒麟9010”，以及2021年高端手机应用处理器“麒麟9000”的电路图，两者分别由中芯（0981）及台积电量产。中芯7纳米芯片面积为118.4平方亳米，台积电5纳米芯片则为107.8平方亳米，面积未有太大差异，处理性能基本相同。

报道又指出虽然良品率有差距，但中芯实力已追赶至落后台积电3年，且显示设计该两款芯片的海思半导体，其设计能力有提高。清水洋治认为美国政府的管制仅略为减慢中国技术创新，却推动内地半导体产业自主生产。