三星前高管涉嫌盗取公司机密被捕　企图在中国设“山寨半导体厂”

一名前三星电子高管涉嫌盗取公司机密，意图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂的A某，在韩国被捕及遭起诉。

韩联社报导，韩国水原地方检察厅6月12日，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》罪名将A某逮捕和起诉。检察厅另以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等罪，针对A某在中国设立的公司所属五名职员和涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司一名职员，共6人进行起诉。

A某涉嫌从2018年8月起至2019年，以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程资料（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等资讯。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取记忆体（DRAM）和快闪记忆体芯片（NAND）制程工艺，两者均属于国家关键技术。

当局调查发现，A某试图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处建设山寨版三星芯片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元投资落空，工厂建设未能进行。但据悉，A某曾在成都获得4600亿韩元投资建设半导体制造工厂，工厂的研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。

A某曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后，录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，A某泄露技术导致三星电子蒙受至少3000亿韩元损失。